国家知识产权局信息显示，浙江求是创芯半导体设备有限公司申请一项名为“离子注入机及其离子角度调整方法”的专利，公开号CN121983490A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种离子注入机及其离子角度调整方法，离子注入机包括前部结构、后部结构以及连接前部结构和后部结构的弹性管，前部结构包括离子源、引出电极和质量分析磁铁，后部结构包括分析狭缝、聚焦电极、扫描电极和平行透镜，离子源、引出电极、质量分析磁铁、分析狭缝、聚焦电极、扫描电极和平行透镜依次设置，弹性管能够改变前部结构和后部结构的相对位置；离子注入机包括预设离子偏离分析狭缝的中点的偏移状态，当离子注入机处于偏移状态时，质量分析磁铁的磁场改变，弹性管使得前部结构与后部结构的相对位置改变，以使得预设离子能够经过分析狭缝的中点。通过上述设置，可以提高离子注入机的离子注入精准度。

天眼查资料显示，浙江求是创芯半导体设备有限公司，成立于2021年，位于杭州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本4320.9877万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江求是创芯半导体设备有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息100条，此外企业还拥有行政许可2个。

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